LES ETUDES MENEES TOUT AU LONG DE CETTE THESE ONT POUR BUT UNE MEILLEURE CONNAISSANCE DE LA DENSITE D'ETATS DE DEFAUTS DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. DES TECHNIQUES DE CARACTERISATION ELECTRIQUE ONT ETE MISES AU POINT POUR ETUDIER LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DANS LA COUCHE INTRINSEQUE I D'UNE DIODE PIN A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, DIODE QUI CONSTITUE UNE PHOTOPILE. LES TECHNIQUES UTILISEES SONT DES METHODES SPECTROSCOPIQUES QUI PRESENTENT L'AVANTAGE DE POUVOIR ETRE APPLIQUEES DIRECTEMENT A UNE PHOTOPILE EN FONCTIONNEMENT. ON PEUT AINSI, PAR CES TECHNIQUES, SUIVRE L'EVOLUTION DE LA DENSITE D'ETATS APRES VIEILLISSEMENT ET ESSAYER D'EXPLIQUER LE MECANISME DE DEGRADATION DES DIODES, PHENOMENE DONT LA COMPREHENSION EST IMPORTANTE POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES. POUR CARACTERISER CETTE DENSITE D'ETATS DEUX EXPERIENCES DE SPECTROSCOPIE ONT ETE MISES EN UVRE: EXPERIENCE DE COURANT PHOTOMODULE SOUS LE GAP ET EXPERIENCE DE SPECTROSCOPIE SOUS LE GAP. NOUS AVONS DEVELOPPE UN CALCUL THEORIQUE ANALYTIQUE APPROCHE POUR MODELISER L'ABSORPTION OPTIQUE, EN TENANT COMPTE DES TRANSITIONS OPTIQUES FAISANT INTERVENIR LES ETATS LOCALISES QUI PRODUISENT UN PHOTOCOURANT. CE CALCUL ANALYTIQUE APPROCHE A ETE VALIDE A PARTIR D'UNE SIMULATION NUMERIQUE PRENANT EN COMPTE L'EXISTENCE D'UN CHAMP ELECTRIQUE INTERNE DE LA STRUCTURE PIN. UNE COMPARAISON D'ECHANTILLONS VIERGES ET D'ECHANTILLONS AYANT SUBI UN TRAITEMENT DE VIEILLISSEMENT, A PU ETRE FAITE ET CECI A CONDUIT A EMETTRE L'HYPOTHESE DE L'EXISTENCE DE DEUX TYPES DE LIAISONS BRISEES DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. LES APPLICATIONS DES RESULTATS THEORIQUES A DIFFERENTS ECHANTILLONS, OBTENUS POUR DIFFERENTS PARAMETRES DE FABRICATION, NOUS INDIQUENT QU'IL EXISTE UN OPTIMUM SUR LES CONDITIONS DE TEMPERATURE DE DEPOT (QUI MODIFIE LE POURCENTAGE D'HYDROGENE) EN CE QUI CONCERNE LE DESORDRE CARACTERISTIQUE DU MATERIAU (ENERGIE D'URBACH). D'AUTRE PART UNE VARIATION DU PHOTOCOURANT AVEC LA TEMPERATURE DE DEPOT A PU ETRE INTERPRETEE COMME UN ELARGISSEMENT DE LA LARGEUR DE LA BANDE INTERDITE. UN RESULTAT ANALOGUE A PU ETRE CONSTATE POUR LES VARIATIONS AVEC LA TEMPERATURE DE L'ECHANTILLON PENDANT LA MESURE DU PHOTOCOURANT
LES ETUDES MENEES TOUT AU LONG DE CETTE THESE ONT POUR BUT UNE MEILLEURE CONNAISSANCE DE LA DENSITE D'ETATS DE DEFAUTS DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE.
This book deals with central simple Lie algebras over arbitrary fields of characteristic zero. It aims to give constructions of the algebras and their finite-dimensional modules in terms that are rational with respect to the given ground field. All isotropic algebras with non-reduced relative root systems are treated, along with classical anisotropic algebras. The latter are treated by what seems to be a novel device, namely by studying certain modules for isotropic classical algebras in which they are embedded. In this development, symmetric powers of central simple associative algebras, along with generalized even Clifford algebras of involutorial algebras, play central roles. Considerable attention is given to exceptional algebras. The pace is that of a rather expansive research monograph. The reader who has at hand a standard introductory text on Lie algebras, such as Jacobson or Humphreys, should be in a position to understand the results. More technical matters arise in some of the detailed arguments. The book is intended for researchers and students of algebraic Lie theory, as well as for other researchers who are seeking explicit realizations of algebras or modules. It will probably be more useful as a resource to be dipped into, than as a text to be worked straight through.
When the involution in D is of first kind, one has for x € M", v and w é W, X *($v,w)
= xp(v & w) — # t((w, v) + (v,v)")x x y(v 2 v - # tow,v) + (v,v)")x k sk = -8 *($v,v - 8 ) –
4. t((w, v) + (w, v) )x S u, (v,w)y * − x °v,w + x (-8 (v,w) Egg - *****{41, mitri) k * A.
